Heterogeneous integration of InP HEMTs on quartz wafer using BCB bonding technology

Heterogeneous integrated InP high electron mobility transistors(HEMTs)on quartz wafers are fabricated successfully by using a reverse-grown InP epitaxial structure and benzocyclobutene(BCB)bonding technology.The channel of the new device is In_0.7Ga_0.3As,and the gate length is 100 nm.A maximum extrinsic transconductance gm,max of 855.5 mS/mm and a maximum drain current of 536.5 mA/mm are obtained.The current gain cutoff frequency is as high as 262 GHz and the maximum oscillation frequency reaches 288 GHz.In addition,a small signal equivalent circuit model of heterogeneous integration of InP HEMTs on quartz wafer is built to characterize device performance.     

Enhancement of fMAX of InP-based HEMTs by double-recessed offset gate process

A double-recessed offset gate process technology for InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) has been developed in this paper. Single-recessed and double-recessed HEMTs with different gate offsets have been fabricated and characterized. Compared with single-recessed devices, the maximum drain-source current (I_D,max) and maximum extrinsic transconductance (g_m,max) of double-recessed devices decreased due to the increase in series resistances. However, in terms of RF performance, double-recessed HEMTs achieved higher maximum oscillation frequency (f_MAX) by reducing drain output conductance (g_ds) and drain to gate capacitance (C_gd). In addition, further improvement of f_MAX was observed by adjusting the gate offset of double-recessed devices. This can be explained by suppressing the ratio of C_gd to source to gate capacitance (C_gs) by extending drain-side recess length (L_rd). Compared with the single-recessed HEMTs, the f_MAX of double-recessed offset gate HEMTs was increased by about 20%.     

构建珠心算融入小学数学教学新体系

正珠心算教育对儿童脑潜能开发的启智功能已得到世界多个国家的认可,有的已将它引入小学课堂。弘扬民族文化,开发儿童智力,我们教师有责任将珠心算融入课堂,构建新的数学教学体系。这便要求教师要善于分析教材,钻研教材,将珠心算教材与小学数学有机整合,在数学课的教学中不失时机地穿插珠心算教学内容,点点滴滴渗透珠心算知识,使二者有机结合,相得益彰,让更多的儿童在珠心算教育启智下变得越来越聪明。     

空腔膨胀理论靶体阻力模型及其应用研究进展

从静/动态空腔膨胀模型的理论体系出发,介绍了空腔膨胀模型在不同方向上取得的成果,主要涉及理想侵彻条件的空腔膨胀压力计算模型及数值模拟方法和空腔膨胀模型在典型侵彻问题及复杂弹靶条件下的应用。在理想侵彻条件下的空腔膨胀压力计算模型中,主要讨论了靶体材料、屈服准则和状态方程对空腔边界应力的影响规律及空腔膨胀模型的适用性问题;根据数值模拟中初始条件的不同,介绍了空腔表面恒定速度/恒定压力两种数值模拟方法,证明了数值模拟方法的可靠性;整理了空腔膨胀模型的基本假设、适用范围、工程应用特点,列举了其在典型侵彻问题及多层复合靶板、约束靶体、弹体刻槽和异形截面形状弹体等复杂弹靶条件下的应用。针对空腔膨胀模型的研究现状,总结了目前空腔膨胀模型在冲击动力学领域的应用方向,归纳了空腔膨胀模型应用中尚存在的问题,展望了空腔膨胀模型下一步的重点发展方向。     

求解浅水波方程的熵相容格式

提出了一种求解浅水波方程组的熵相容格式．在熵稳定通量中添加特征速度差分绝对值的项来抵消解在跨过激波时所产生的熵增,从而实现熵相容．新的数值差分格式具有形式简单、计算效率高、无需添加任何的人工数值粘性的特点．数值算例充分说明了其显著的优点．利用新格式成功地模拟了不同类型溃坝问题的激波、稀疏波传播及溃坝两侧旋涡的形成,是求解浅水波方程组较为理想的方法.     

大气压空气等离子体羽的振动温度研究

利用三电极介质阻挡放电装置,在大气压空气中产生了较大体积的等离子体羽。采用光学方法对该等离子体羽的特性进行了研究。发现随着外加电压峰值增加,每个外加电压周期的放电脉冲个数增加。通过采集等离子体羽的发射光谱,空间分辨地研究了放电等离子体羽的振动温度。结果表明等离子体羽的振动温度随着外加电压峰值的增加而减小;随着远离喷嘴的距离的增加,等离子体振动温度先增加后减小,当距离喷嘴5.4 mm时振动温度达到最高值。对上述现象进行了定性分析。研究结果对大气压空气等离子体羽在杀菌消毒等领域的应用具有重要意义。     

基于下变频和IQ解调的外差型相位敏感光时域反射技术的模式识别EI北大核心CSCD

基于模拟下变频器、数字IQ解调和反向传播(BP)神经网络,采用现场可编程门阵列结合数字信号处理器(FPGA+DSP)的数据采集和处理架构,提出了一种全嵌入式高信噪比(SNR)、高分辨率和低成本的外差型相位敏感光时域反射(Φ-OTDR)技术模式识别方法。针对外差型Φ-OTDR技术,使用DSP、FPGA及其外围硬件电路替代原有的GHz级高速采集卡和信号发生器,减小了系统的体积和成本。在此基础上,设计了基于时空域二维图提取形态学特征的方法,并采用BP神经网络进行分类识别;所提方法相对于传统的针对一维信号进行模式识别的方法误报率更低、识别率更高。实验结果表明,所设计的基于FPGA+DSP全嵌入式并行信号处理架构满足实时监测的要求,SNR高达12.43dB,事件识别准确率达到97.78%。     

针-板和针-水电极大气压直流辉光放电的光谱特性

利用光谱学方法,对针-水电极和针-板电极直流辉光放电特性进行了比较研究。结果发现两种装置产生的放电都有明显的分区现象, 从阴极到阳极分别为负辉区、阴极暗区、正柱区和阳极辉区。针-板电极放电中可以清晰地观测到阳极暗区, 而针-水电极放电阳极暗区不明显。对比两种放电的伏安特性曲线,发现放电电压均随电流增大而减小,但相同电流下针-水电极间的电压大于针-板电极间的电压。由于伏安特性具有负斜率,且放电电流密度介于10-5～10-4 A·cm-2,说明两种装置中的放电均处于正常辉光放电阶段。在正常辉光放电的范围内比较两种放电的发射光谱, 发现发射光谱中都包含N₂的第二正带系(含波长为337.1 nm的谱线)和N+₂的第一负带系(含波长为391.4 nm的谱线),但相对强度不同。利用光谱学方法对放电发射谱的谱线强度比I_391.4／I_337.1和振动温度进行了空间分辨测量,发现相同位置处针-水电极放电的谱线强度比要比针-板电极放电的大,并且相同位置处针-水电极放电的振动温度高。     

长杆弹撞击装甲陶瓷界面击溃/侵彻转变速度理论模型

为预测长杆弹撞击装甲陶瓷界面击溃/侵彻转变过程,采用Hertz接触理论确定靶体内部应力,将其分别应用于陶瓷锥裂纹与翼型裂纹扩展理论。通过比较两种裂纹扩展模型计算得到的界面击溃/侵彻转变速度,提出准确预测界面击溃/侵彻转变速度的理论模型。结果表明:将两种裂纹扩展理论相结合的理论模型可以合理地解释界面击溃/侵彻转变过程,转变速度计算结果与已有实验结果吻合较好。弹体半径较小时,锥裂纹扩展控制界面击溃/侵彻转变过程;弹体半径较大时,翼型裂纹扩展控制界面击溃/侵彻转变过程。